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氮化镓技术简介
**氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）**的核心性能特性：
- 电子迁移与开关速度：GaN HEMTs 具有更高的电子迁移率和高临界电场，这使其能实现高速响应（即便在高温下，也能达到更高的开关速度）。
- 带隙与导通特性：更宽的带隙和更高的临界电场，让电子传输路径更短、导通电阻更低（相比硅（Si）和碳化硅（SiC）基器件）。
- 热导率：室温下 GaN 的热导率低于 SiC，但高温下可与掺杂的 SiC 相媲美。
得益于上述特性，GaN 器件可做到更小尺寸，且多数商用 GaN 基功率器件已展现出更高频率运行的潜力。
随着宽禁带（WBG）电力电子器件的广泛应用，GaN 功率 HEMTs 助力各类功率转换场景实现：效率提升、频率提高、方案尺寸缩小，最终降低系统成本，其能力超越了传统硅（Si）基解决方案。
Tuntun Yuchiha